8月28日晚，刚在科创板上市不久的长鑫科技公布了上市后的首份半年报，披露的业绩远超市场预期。报告显示，归属于上市公司股东的净利润为776.05亿元，上年同期则亏损23.32亿元；扣非后净利润为787.93亿元。按181个自然日计算，折合每日净赚约4.29亿元。这一利润规模约为公司2025年全年净利（18.75亿元）的41倍。

上半年公司实现营收1503.1亿元，同比增长873.64%；同期营业成本仅增长70.76%，由此推动主营业务毛利率升至84.84%。长鑫科技在财报中将业绩增长主要归因于全球算力需求快速增长、主要厂商的产能调配等导致DRAM供不应求、价格大幅上涨，从而带动其DRAM产品毛利显著提升。公司作为全球第四大DRAM原厂，按出货量计市占约8%，产品覆盖服务器、手机、PC与智能汽车等领域，长期被三星、SK海力士与美光三家主导的市场中实现突破。

自7月27日以8.66元/股发行登陆科创板以来，长鑫科技股价大幅飙升。上市首日开盘报49.5元、收报49元，单日成交额创纪录，总市值一度达3.28万亿元并跃居A股市值首位。随后股价在短期内多次攀升，8月28日收报58.6元，市值约3.98万亿元，上市以来累计涨幅显著。

在产品与研发方面，半年报披露了公司自主研发的LPDDR6芯片进展：峰值传输速率达到12800Mbps，单颗芯片最高容量16GB，已向关键客户送样并推进量产。公司称这是全球LPDDR6首次实现商用落地，为国产高端内存提供自主可控技术支撑。同期研发投入也大幅增加，报告期内研发费用68.59亿元，同比增长87.38%，主要用于研发力度加大、人员增加及测试服务等支出上升。

需要指出的是，长鑫科技在此前几年曾连续亏损——2022至2024年累计亏损超300亿元，直到2025年随行业景气回升才首次实现年度扭亏。公司在财报中也提示了DRAM行业明显的周期性与价格波动风险：2015–2025年间DRAM价格曾从最高7.89美元/GB跌至2023年上半年的1.78美元/GB，当前高位并不具备长期可持续性。外部研究机构认为，下一阶段的关键在于公司能否借助IPO及扩产，推进HBM与LPDDR6产能放量与技术能力完善，若能抓住机会并拓展国际一线客户，市场格局可能在一年内发生显著变化；但也有投资者提醒，本轮爆发更多反映的是DRAM供需与价格周期，而非公司已经完全具备穿越周期的能力。与此同时，不少市场参与者认为，在全球经济与产业链调整下，国产替代需求加速，为国产存储企业带来更大成长空间。